| 型号：CMF20120D | 类别：FET - 单 | 制造商：Cree Inc |
| 封装：TO-247-3 | 描述：SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 系列 | Z-FET™ |
| 制造商 | Cree Inc |
| FET型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 33A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 1mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1915pF @ 800V |
| 功率_最大 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 上海齐创科技有限公司（上海青岛北京） | 李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务 |
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